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IRFSL3206PBF  与  IPI032N06N3 G  区别

型号 IRFSL3206PBF IPI032N06N3 G
唯样编号 A-IRFSL3206PBF A-IPI032N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.83mm 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ 2.3mΩ
上升时间 - 120ns
Qg-栅极电荷 - 165nC
引脚数目 3 -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 120A
配置 - Single
长度 10.67mm 10.2mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
正向二极管电压 1.3V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 118µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF 13000pF @ 30V
高度 9.65mm 9.45mm
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 55 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W 188W
晶体管配置 -
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 19 ns 35ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC 165nC @ 10V
正向跨导 210S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 210A 3mΩ 300W

暂无价格 0 当前型号
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI032N06N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPI032N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI032N06N3GAKSA1_-55°C~175°C(TJ) 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel 60V

暂无价格 0 对比

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